晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1.4W 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：390mV@3A,300mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1A,2V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj)