SIS412DN-T1-GE3-Vishay SIS412DN-T1-GE3 PDF规格书-现货价格-蓝亿电子

SIS412DN-T1-GE3

N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：24mΩ@10V,7.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA N沟道

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N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：24mΩ@10V,7.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA N沟道

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