SIS412DN-T1-GE3

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N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,7.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA N沟道

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N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,7.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA N沟道


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