晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：750mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,1V 特征频率(fT)：250MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)  NPN,Vceo=40V,Ic=600mA