晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：750mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-40V,Ic=-600mA