MMBT4403LT1G

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晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):225mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V 特征频率(fT):200MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-40V,Ic=-600mA

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晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):225mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V 特征频率(fT):200MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-40V,Ic=-600mA


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